国融资管 我是股东 | 浙商证券走进沪市上市公司-宏微科技

　　为深入贯彻落实中央金融工作会议精神以及新“国九条”有关要求，更好地搭建上市公司和投资者沟通交流平台国融资管，引导投资者理性认识沪市上市公司投资价值、树立积极行权意识，上交所持续组织开展“我是股东”投资者走进上市公司活动。本次走进的上市公司是—江苏宏微科技股份有限公司（宏微科技，688711.SH）。

　　投资者走进上市公司系列活动一直以来发挥着普及金融知识、保护投资者合法权益、倡导理性投资的作用，旨在为上市公司与投资者之间搭建多元化沟通平台，让更多的投资者近距离了解上市公司，树立正确的价值投资理念。本次活动由上海证券交易所指导，浙商证券主办，浙商证券投资者教育基地、宏微科技承办，全景网协办。

　　宏微科技是国内功率半导体领域的领军企业，于2021年9月1日在上交所挂牌上市。宏微科技自2006年成立以来国融资管，始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质 量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），和家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。

　　活动当天，投资者们先后参观了公司展厅、生产车间，深入了解企业发展历程、产品形态、企业愿景，近距离观看智能化生产、检测全过程。

　　在本次座谈交流环节，董事会秘书马君表示，面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入国融资管，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速 SiC 器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

　　此外，马君表示，宏微科技与华虹宏力等产业链伙伴深化合作，率先实现12英寸晶圆量产工艺突破，通过沟槽栅场阻断结构、超微沟槽技术等工艺创新，推动IGBT、SiC MOSFET等产品性能对标国际先进水平。公司在车规级领域持续突破，其第七代IGBT模块产品已实现批量生产，与英飞凌EDT3 技术处于同一水平，成功进入头部车企供应链。在第三代半导体领域，宏微科技自主研发的1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规 1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；车规级1200V SiC自研模块已通过可靠性验证。通过“双碳”战略驱动的新能源、储能等场景需求，宏微科技凭借技术领先性与产能布局，将进一步巩固其在国产替代浪潮中的核心地位，为全球能源转型与智能化进程提供关键支撑。

　　浙商证券电子行业分析师赵洪对功率半导体行业的发展现状及趋势进行了简要的分析，为投资者提供研究支持。

　　在互动交流环节，董秘与投资者就下游市场空间、产品竞争壁垒、技术迭代等多个问题进行了深入讨论。通过互动交流，投资者对宏微科技的发展有了更加深入的了解。

　　座谈最后，上交所投资者服务部向公司赠与了“我是股东•投资者走进沪市上市公司”纪念奖牌。

　　此次“我是股东”走进上市公司宏微科技活动，不仅让投资者更加深入地了解了公司的经营状况和战略发展方向，也进一步增强了投资者对公司的信心。未来国融资管，宏微科技将继续秉持“以客户为中心，以创新为驱动，以人才为根本” 的发展理念，坚定不移地走自主创新之路。

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